کدام ماسفت حاوی دیود شاتکی است؟ توضیح: GaAs MOSFET با ماسفت سیلیکونی به دلیل وجود دیود شاتکی برای جداسازی دو ناحیه نازک نوع n متفاوت است.
چرا GaAs در MESFET استفاده می شود؟
MESFET / ویژگی های GaAsFET
تحرک الکترون بالا: استفاده از آرسنید گالیوم یا سایر مواد نیمه هادی با کارایی بالا سطح بالایی از تحرک الکترون را فراهم می کند که لازم است. برای کاربردهای RF کارایی بالا.
تفاوت بین MESFET و MOSFET چیست؟
تفاوت عمده بین MESFET و ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (MOSFET) که یک دستگاه سطحی نیز هست، این است که یک ماسفت معمولاً تا زمانی که ولتاژی بزرگتر از آستانه به گیت اعمال می شود، در حالی که MESFET به طور معمول روشن است مگر اینکه ولتاژ معکوس زیادی به… اعمال شود.
GaAs MESFET چیست؟
GaAs MESFET یک نوع از ترانزیستور اثر میدانی فلزی نیمه هادی است که معمولاً در فرکانس های بسیار بالا تا ۴۰ گیگاهرتز در هر دو توان بالا (زیر ۴۰ وات، بالاتر از TWT) استفاده می شود. سوپاپ ها را به دست می گیرند) و کاربردهای کم توان، مانند: ارتباطات ماهواره ای. رادار تلفن های همراه. پیوندهای ارتباطی مایکروویو.
کاربردهای MESFET چیست؟
برنامه های کاربردی MESFET- خلاصه: دستگاه های فرکانس بالا، تلفن های همراه، گیرنده های ماهواره، رادار، دستگاه های مایکروویو. GaAs اولیه استمواد برای MESFET. GaAs تحرک الکترون بالایی دارد.
